در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dbω، پهنای باند 3ghz و ...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

در این پایان نامه یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با باند پهن معرفی می شود که در آن از ساختار rgc و یک شبکه هماهنگ از نوع “t” استفاده شده است. ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی بسیار کمی که ایجاد می کند در لینک های نوری برای خنثی کردن اثر ظرفیت پارازیتی حسگر های نوری در ورودی تقویت کننده های امپدانس انتقالی باند پهن مورد استفاده قرار می گیرد. تقویت کننده پیشنهاد شده در تکنولوژی µm18/0 cmos طراحی ...

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

در این پایان نامه یک گیرنده نوری شامل تقویت کننده امپدانس انتقالی و تقویت کننده محدودکننده در فناوری cmos 180nm برای نرخ داده2.5gb/s طراحی شده است. در بخش تقویت کننده امپدانس انتقالی، یک روش فیدبک فعال جدید با استفاده از یک تضعیف کننده فعال با بهره منفی، جهت افزایش پهنای باند پیشنهاد شده است. با فرض پذیرش 7% پیک در پاسخ فرکانسی، 20% افزایش توان مصرفی و افزایش ناچیز سطح تراشه این روش می تواند حد...

در این پایان نامه یک تقویت کننده ی عملیاتی هدایت انتقالی قابل تنظیم، با توان مصرفی کم و خطسانی بالا برای کاربردهای گیگاهرتز ارائه و شبیه سازی شده است. از روش dtmos برای کاهش ولتاژ آستانه ترانزیستورها، کاهش ولتاژ تغذیه مدار و درنتیجه کاهش توان مصرفی استفاده شده است. با استفاده از این ota یک سلف فعال شناور برای کاربردهای فرکانس گیگاهرتز ارائه شده است. از این سلف فعال در مدار یک میکسر پایین آورنده...

در این پایان نامه، بر روی طراحی تقویت کننده هایی که پایه و اساس سیستم های مخابراتی بی سیم با سرعت انتقال داده بالا هستند، تمرکز می کنیم. مهندسین ماکروویو، فن جدیدی (تقویت کننده های توزیع شده*) با پهنای باند مناسب و بالاتر از فرکانس قطع ترانزیستورهای به کار گرفته شده در مدار را ارائه و تثبیت نموده اند. بااین حال، پیاده سازی این تقویت کننده ها دربردارنده چالش های جدیدی است.

در محیط زیر آب مناسب ترین ابزار انتقال اطلاعات، امواج اکوستیکی است. مسافتی که سیگنال های اکوستیکی درون آب طی می کنند به دو عامل فرکانس و توان بستگی دارد، به گونه ای که هرچه فرکانس کمتر و توان بیشتر باشد، سیگنال مسافت بیشتری طی خواهد کرد. در این مقاله، نخست روش های متنوع افزایش برد سیگنال اکوستیکی زیر آب، مبتنی بر افزایش توان تقویت کننده های صوتی، با ذکر معایب و مزایای هر یک بررسی می شود. سپس با...